En ny type minne som kombinerer farten til RAM med permanent lagring som i minnebrikken kan gjøre det mulig å lage PCer, nettbrett og mobiler som starter lynraskt.

En annen fordel med oppfinnelsen er energisparing. Maskinene kan gå helt eller delvis inn og ut av slumremodus mye raskere enn dagens maskiner. 

Minnet benytter seg av såkalte felteffekt-transistorer (FET) som opererer i to modi, ett for vanlig hurtiglagring som i dagens RAM-brikker, og ett for minnepinne-modus. Det er utviklet ved North Carolina State University.